| 发明名称 | 高压垫的静电放电保护装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高压垫的静电放电保护装置，其包括高压NMOS晶体管连接在所述高压垫及低压端之间，所述高压NMOS晶体管具有一寄生元件在所述高压NMOS晶体管的源漏极之间，触发器在所述高压垫上的电压达到一临界值时，导通所述寄生元件以使所述高压垫上静电放电的能量释放至所述低压端。 | ||
| 申请公布号 | CN101533830A | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
| 申请号 | CN200810082887.8 | 申请日期 | 2008.03.11 |
| 申请人 | 义隆电子股份有限公司 | 发明人 | 谢武聪;周明俊;柯明道 |
| 分类号 | H01L23/60(2006.01)I;H02H9/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 任默闻 |
| 主权项 | 1. 一种高压垫的静电放电保护装置，其特征在于，所述装置包括：高压NMOS晶体管，连接在所述高压垫及低压端之间，在所述高压NMOS晶体管的源漏极之间具有一寄生元件；以及触发器，在输入所述高压垫上的电压高于一临界值时，导通所述寄生元件以将所述高压垫上静电放电的能量释放至所述低压端。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||