具有位线至位线耦合补偿的非易失性存储器及方法

摘要

本发明揭示一种具有位线至位线耦合补偿的非易失性存储器及方法。当对存储器存储单元的一邻接页进行编程时，每当一存储器存储单元已达到其目标状态并被禁止编程或闭锁而不能进一步编程时，其均会在仍处于编程状态下的一邻近存储器存储单元上产生一扰动。本发明提供作为编程一部分的电路及方法，其中将对所述扰动的一偏移添加至仍处于编程状态下的所述邻近存储器存储单元。所述偏移是通过所述被禁止编程的存储器存储单元与所述仍处于编程状态下的存储器存储单元的邻近位线之间的一受控耦合来添加。以此方式，可消除或使并行编程高密度存储器存储单元中固有的错误最小化。

主权项

1、一种在一具有一存储器存储单元阵列的非易失性存储器中将具有互连控制栅极的一页邻接存储器存储单元编程为其目标状态的方法，每一单元具有位于一控制栅极与由一源极和一漏极界定的一通道区域之间的一电荷存储单元及一可切换地耦合至所述漏极的位线，所述方法包括：(a)提供一可切换地耦合至每一存储器存储单元的所述漏极的位线及一耦合至存储器存储单元的所述页的所有所述控制栅极的字线；(b)将一初始、第一预定电压施加至所述页的指定存储器存储单元的所述位线以启用编程；(c)将一初始、第二预定电压施加至所述页的未指定存储器存储单元的所述位线以禁止编程；(d)浮动所述被启用编程的位线，同时将所述被禁止编程位线从所述第二预定电压升高一预定电压差至一第三预定电压，其中将所述预定电压差的一预定部分作为一偏移耦合至任何相邻、浮动、被启用编程位线，并且所述第三预定电压启用每一被禁止编程存储器存储单元的通道的浮动；(e)将一编程电压脉冲施加至所述字线，以便编程所述页的所述指定存储器存储单元，其中所述页的那些未指定存储器存储单元凭借其增强至一被禁止编程电压条件的浮动通道而被禁止编程，并且由任何相邻启用编程存储器存储单元上的增强所产生的扰动由所述偏移进行补偿。