| 发明名称 | 改进器件性能的双硅化物工艺 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，包括具有p型器件区(20)和n型器件区(10)的衬底；到n型器件区(10)的第一型硅化物触点(30)；第一型硅化物具有与n型器件区导带基本上对齐的功函数；以及到p型器件区(20)的第二型硅化物触点(35)；第二型硅化物具有与p型器件区价带基本上对齐的功函数。本发明也提供一种半导体结构及其形成方法，其中选择硅化物触点材料和硅化物触点处理条件以提供pFET和nFET器件中基于应变的器件改进。 | ||
| 申请公布号 | CN100533709C | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200580047269.4 | 申请日期 | 2005.12.21 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 约汉·J.·爱丽斯-蒙娜甘;戴尔·W.·马丁;威廉·J.·墨菲;詹姆斯·S.·纳考斯;科克·皮特森 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/772(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦 晨 |
| 主权项 | 1. 一种半导体结构，包括：在第一器件区中具有p型器件且在第二器件区中具有n型器件的衬底；到所述第二器件区中所述n型器件的第一型硅化物触点；所述第一型硅化物具有与所述第二器件区中所述n型器件的导带基本上对齐的功函数；以及到所述第一器件区中所述p型器件的第二型硅化物触点；所述第二型硅化物具有与所述第一器件区中所述p型器件的价带基本上对齐的功函数。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||