| 发明名称 | 发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在发光元件的光出射面中由方位造成的光的强度差别小的发光元件。本发明的发光元件(1)包括：具有隔着发光部(6)的第一导电型层(5)和第二导电型层(7)的叠层体、设置于该叠层体的第二导电型层(7)上的金属薄膜层(9)、以及设置于该金属薄膜层(9)上的透明导电体(12)；所述透明导电体(12)由单层的透明导电膜(10)构成，使该透明导电膜(10)的光出射面(10’)的晶体粒径为30nm以上300nm以下。 | ||
| 申请公布号 | CN100530710C | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
| 申请号 | CN200580025033.0 | 申请日期 | 2005.07.27 |
| 申请人 | 株式会社藤仓 | 发明人 | 后藤谦次;川岛卓也;田边信夫;伊藤达也 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 雒运朴;徐 谦 |
| 主权项 | 1.一种发光元件，包括：具有第一导电型层、第二导电型层和介于所述第一导电型层与第二导电型层之间的发光部的叠层体；设置于该叠层体的第二导电型层上的金属薄膜层；以及设置于该金属薄膜层上的透明导电体；其特征是，所述透明导电体由2层以上的透明导电膜构成，形成最外层的透明导电膜的光出射面的晶体粒径在100nm以上200nm以下，所述透明导电体的上层的至少一层的耐热性，比形成最下层的层高，形成所述最下层的透明导电膜是添加锡的氧化铟膜，形成所述上层的至少一层的透明导电膜是添加氟的氧化锡膜，所述金属薄膜层与所述第二导电型层的接触电阻在10-4Ω·cm2以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||