具有沟槽的非易失性存储器及其形成方法

摘要

一种半导体存储器，包括在其中具有沟槽的半导体衬底。在邻近沟槽的衬底表面上形成第一和第二栅图形，各个栅图形在沟槽的各个相对侧边上。在第一栅图形和第二栅图形之间的衬底内形成分裂的源/漏区，以便分裂源/漏区被沟槽分开。分裂源/漏区包括第一栅图形和沟槽之间的第一源/漏子区域以及在第二栅图形和沟槽之间并与第一源/漏子区域隔开的第二源/漏子区域。在衬底内形成连接区，连接区围绕沟槽从第一源/漏子区域至第二源/漏子区域延伸。还论述了相关方法。

主权项

1. 一种半导体存储器，包括：衬底上的第一存储单元栅图形和第二存储单元栅图形，其中所述第一和所述第二存储单元栅图形被平行布置；在所述衬底上与所述第二存储单元栅图形相对且与所述第一存储单元栅图形邻近的第一选择栅图形以及与所述第一存储单元栅图形相对且与所述第二存储单元栅图形邻近的第二选择栅图形；形成在所述第一存储单元栅图形和所述第一选择栅图形之间的第一沟槽，和形成在所述第二存储单元栅图形和所述第二选择栅图形之间的第二沟槽；在所述第一存储单元栅图形和所述第二存储单元栅图形之间的所述衬底内的低浓度杂质扩散区；在所述第一存储单元栅图形和所述第一选择栅图形之间以及所述第二存储单元栅图形和所述第二选择栅图形之间的衬底内的分裂源/漏区；在所述衬底中围绕所述第一和所述第二沟槽延伸的连接区；其中所述连接区具有比所述低浓度杂质扩散区更高的载流子浓度，在所述第一存储单元栅图形和所述第二存储单元栅图形之间填充的第一绝缘层；以及在所述第一存储单元栅图形和所述第一选择栅图形之间以及在所述第二存储单元栅图形和所述第二选择栅图形之间填充的第二绝缘层。