发明名称 含碱金属氧化物的光纤
摘要 本发明揭示了一种光纤,其包括二氧化硅基芯体和二氧化硅基覆层,所述芯体包含选自以下的碱金属氧化物:K<sub>2</sub>O,Na<sub>2</sub>O,LiO<sub>2</sub>,Rb<sub>2</sub>O,Cs<sub>2</sub>O以及它们的混合物,所述碱金属氧化物在所述芯体中的平均浓度约为50-1000重量ppm,所述覆层包围所述芯体,并且与芯体直接相邻,所述光纤的光缆截止小于1400纳米,在1550纳米处的色散约为13-19ps/nm/km,零色散波长约小于1324nm。通过适当选择在芯体和覆层中的碱金属氧化物的浓度,可获得低损耗光纤。
申请公布号 CN101506703A 申请公布日期 2009.08.12
申请号 CN200780031211.X 申请日期 2007.08.15
申请人 康宁股份有限公司 发明人 S·R·别克汉姆;S·K·米斯拉
分类号 G02B6/02(2006.01)I 主分类号 G02B6/02(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 项 丹
主权项 1. 一种光纤,其包括:二氧化硅基芯体,所述芯体包含选自下组的碱金属氧化物:K2O、Na2O、LiO2、Rb2O、Cs2O、以及它们的混合物,这些碱金属氧化物在所述芯体中的平均浓度约为50-1000重量ppm,以及二氧化硅基覆层,所述覆层包围所述芯体并与该芯体直接邻接,所述光纤的光缆截止小于1400纳米,在1550纳米处的色散约为13-19ps/nm/km,零色散波长约小于1420纳米。
地址 美国纽约州
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