| 发明名称 | 使用原子层沉积法的氮化硅膜的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及可以在低温下形成高应力的氮化硅膜的、利用ALD法，形成氮化硅膜的方法。此方法包括：(a)将二氯硅烷供给到反应室内，使得以二氯硅烷为前体的化学种吸附在半导体晶片上的工序；(b)对所述化学种中所含的氯进行氢化，从所述化学种中去除的工序；(c)将氨自由基供给到所述反应室内，利用此氨自由基，对已去除氯的所述化学种进行氮化，将其结果得到的硅氮化物堆积在所述被处理体上的工序，通过按所述工序(a)、(b)、(c)的顺序多次反复进行，在半导体晶片上形成期望厚度的氮化硅膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100524650C | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200610066216.3 | 申请日期 | 2006.03.28 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 松浦广行 |
| 分类号 | H01L21/318(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/318(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1. 一种氮化硅膜的形成方法，其特征在于，包括：(a)将二氯硅烷供给到容纳有被处理体的反应室内，使得以二氯硅烷为前体的化学种吸附在所述被处理体上的工序；(b)对所述化学种中所含的氯进行氢化，从所述化学种中去除的工序；和(c)将氨自由基供给到所述反应室内，利用此氨自由基，对已去除氯的所述化学种进行氮化，将其结果得到的硅氮化物堆积在所述被处理体上的工序，按所述工序(a)、(b)、(c)的顺序多次反复进行。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||