发明名称 |
在控制栅极边缘上操作存储装置的方法与结构 |
摘要 |
本发明的电荷捕捉存储装置与方法,利用边缘诱发效应而增加第二位操作区间。此边缘诱发效应发生于字线底下的区域,使得当对存储装置使用空穴注入法时,空穴电荷储存于电荷捕捉层中,电荷捕捉层与字线正交,且空穴电荷沿着字线的边缘储存。在实施例中,虚拟接地阵列包括电荷捕捉层,其设置于二介质层之间,使得源极与漏极区域之上没有电荷捕捉层。施加空穴注入至此虚拟接地阵列之后,空穴电荷沿着每一字线的边缘储存,因为字线的边缘与非边缘部分相较之下,其电场较大。 |
申请公布号 |
CN100524829C |
申请公布日期 |
2009.08.05 |
申请号 |
CN200710111918.3 |
申请日期 |
2007.06.20 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
吴昭谊 |
分类号 |
H01L29/792(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/792(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
王 英 |
主权项 |
1、一种存储装置,包括:衬底;电荷捕捉结构,其位于所述衬底上,所述电荷捕捉结构在第一方向延伸;以及栅极在第二方向延伸,并与所述电荷捕捉结构交错,所述栅极具有底面,所述底面由第一边缘与第二边缘所定义,其中所述第一边缘与所述第二边缘由非边缘部分所分隔,所述非边缘部分具有第一临界电压,所述第一与第二边缘具有第二临界电压,其中空穴通过空穴注入而被移至所述电荷捕捉结构,且置于所述栅极之下、并沿着所述栅极的所述第一与第二边缘排列,故而所述第二临界电压值低于所述第一临界电压。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |