发明名称 High voltage trench insulated gate bipolar transistor with trench having impurity injection layer and Method for manufacturing the same
摘要
申请公布号 KR100910798(B1) 申请公布日期 2009.08.05
申请号 KR20070088710 申请日期 2007.09.01
申请人 发明人
分类号 H01L29/78;H01L21/336 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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