发明名称 激光装置、激光模块、半导体激光器及其制造方法
摘要 本发明提供了激光装置、激光模块、半导体激光器及其制造方法。该半导体激光器具有:第一衍射光栅区域,其具有段,具有增益,并具有反射光谱的第一离散峰值;第二衍射光栅区域,其具有彼此结合的多个段,并具有反射光谱的第二离散峰值。各段具有衍射光栅和间隔区域。衍射光栅的栅距彼此基本相等。第二离散峰值的波长间隔与第一离散峰值的不同。当第一离散峰值的给定峰值与第二离散峰值的给定峰值之间的关系改变时,第一离散峰值的给定峰值的一部分与第二离散峰值的给定峰值的一部分重叠。位于第一或第二衍射光栅区域中的第一段的光程要比第一和第二衍射光栅区域的其它段的光程短或长第一衍射光栅区域的所述衍射光栅的半个栅距的奇数倍。
申请公布号 CN100521416C 申请公布日期 2009.07.29
申请号 CN200610169975.2 申请日期 2006.12.26
申请人 优迪那半导体有限公司 发明人 藤井卓也
分类号 H01S5/14(2006.01)I;H01S5/00(2006.01)I 主分类号 H01S5/14(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 孙海龙
主权项 1、一种半导体激光器,所述半导体激光器包括:第一衍射光栅区域,其具有彼此结合的多个段,具有增益,并且具有反射光谱的第一离散峰值,在所述第一衍射光栅区域中的每个所述段都具有衍射光栅和间隔区域;以及第二衍射光栅区域,其与所述第一衍射光栅区域相结合,具有彼此结合的多个段,并且具有反射光谱的第二离散峰值,在所述第二衍射光栅区域中的每个所述段具有衍射光栅和间隔区域,所述第二衍射光栅区域的所述衍射光栅的栅距与所述第一衍射光栅区域的所述衍射光栅的栅距相同,所述第二离散峰值的波长间隔与所述第一离散峰值的波长间隔不同,在所述第一离散峰值的给定峰值与所述第二离散峰值的给定峰值之间的关系改变的情况下,所述第一离散峰值的所述给定峰值的一部分与所述第二离散峰值的所述给定峰值的一部分重叠,其中,位于所述第一衍射光栅区域或所述第二衍射光栅区域中的第一段的光程要比所述第一衍射光栅区域和所述第二衍射光栅区域的其它段的光程短或长所述第一衍射光栅区域的所述衍射光栅的半个所述栅距的奇数倍。
地址 日本山梨县