| 发明名称 | 放大电路 | ||
| 摘要 | 以垂直集成的共射-共基放大器(10)放大输入信号的放大电路，它具有：集电极(C)的集电极半导体区，第一基极(B1)的与该集电极半导体区交界的第一基极半导体区，第二基极(B2)的第二基极半导体区，不仅与该第一基极半导体区而且与该第二基极半导体区交界的中间基极半导体区，和发射极(E)的与该第二基极半导体区交界的发射极半导体区，其中，信号输入与该第二基极(B2)连接，和该第一基极(B1)不仅与独立于输入信号的电压源(Uret)而且与集电极(C)电耦合。 | ||
| 申请公布号 | CN100514844C | 申请公布日期 | 2009.07.15 |
| 申请号 | CN200580040813.2 | 申请日期 | 2005.12.22 |
| 申请人 | 爱特梅尔（德国）有限公司 | 发明人 | 克里斯托夫·布拉姆伯格 |
| 分类号 | H03F1/22(2006.01)I;H03F1/32(2006.01)I | 主分类号 | H03F1/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郭伟刚 |
| 主权项 | 1. 用于放大输入信号的放大电路，包括垂直集成的共射-共基放大器(10)，它具有：-集电极(C)的集电极半导体区(1)；-第一基极(B1)的与集电极半导体区(1)交界的第一基极半导体区(2)；-第二基极(B2)的第二基极半导体区(4)；-不仅与该第一基极半导体区(2)而且与该第二基极半导体区(4)交界的中间基极半导体区(3)；和-发射极(E)的与该第二基极半导体区(4)交界的发射极半导体区(5)，其中-信号输入与该第二基极(B2)连接，和-该第一基极(B1)不仅与独立于输入信号的电压源(Uref)而且与集电极(C)电耦合。 | ||
| 地址 | 德国海尔布隆市 | ||