接近头加热方法和设备

摘要

提供了一种用于加热接近头中的流体的设备和方法。流体源向接近头中的通道提供流体。流体流入通道，经过接近头，流到位于接近头的底面上的出口。此外，在接近头内有对流体进行加热的加热部分。可以采用各种方法来对加热部分中的流体进行加热。例如，可以通过阻性加热和热交换来对流体进行加热。然而，任何用于加热接近头中的流体的机制都是可以的。在对流体进行加热后，接近头通过出口将经加热的流体提供给半导体晶片的表面。设置于出口附近的入口对经加热的流体进行抽吸，以从半导体晶片的表面去除经加热的流体。

主权项

1、一种用于半导体晶片处理的方法，包括以下步骤：向接近头提供流体；对接近头内的流体进行加热，其中所述接近头包括：加热部分，被构成为控制流经该加热部分的流体的温度；设置在所述接近头内的传感器；设置在加热部分中的通道，所述通道被构成为引导流体通过加热部分；和底面，具有多个出口和至少一个真空入口，所述多个出口与设置在加热部分中的通道流体连通；以及将经加热的流体提供给半导体晶片的表面以用于晶片处理操作，其中所述多个出口和至少一个真空入口开向所述接近头的底面和所述半导体晶片的表面之间支撑的弯液面。