| 发明名称 | 半导体器件及制造该半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件(10)，包括具有双极性晶体管的半导体主体(12)，所述双极性晶体管包括分别为第一导电型、与第一导电型相反的第二导电型以及第一导电型的发射极区域、基极区域和集电极区域(1，2，3)。发射极或集电极区域(1，3)之一包括纳米线(30)。基极区域(2)通过层(20)形成在半导体主体(12)的表面；发射极或集电极区域(1，3)中的另一个(3，1)形成在基极区域(2)之下的半导体主体(12)中。包括纳米线(30)的发射极或集电极区域(1，3)设置在半导体主体(12)的表面上，使得其纵轴垂直于半导体主体的表面而延伸。 | ||
| 申请公布号 | CN100505298C | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200580024381.6 | 申请日期 | 2005.07.07 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 雷德弗里德斯·A·M·胡尔克斯;普拉巴特·阿加瓦尔;亚伯拉翰·R·巴尔克能德;彼得鲁斯·H·C·马格涅;梅拉妮·M·H·瓦格曼斯;埃里克·P·A·M·巴克斯;埃尔温·海曾 |
| 分类号 | H01L29/08(2006.01)I;H01L29/737(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件(10)，包括具有双极性晶体管的半导体主体(12)，所述双极性晶体管包括分别为第一导电型、与第一导电型相反的第二导电型以及第一导电型的发射极区域、基极区域和集电极区域(1，2，3)，其特征在于，发射极或集电极区域(1，3)之一(1，3)包括纳米线(30)，基极区域(2)以层状区域(20)形成在半导体主体(12)的表面，发射极或集电极区域(1，3)中的另一个(3，1)形成在基极区域(2)之下的半导体主体(12)中，并且包括纳米线(30)的发射极或集电极区域(1，3)设置在层状区域(20)的表面上，从而纳米线(30)的纵轴垂直于与半导体主体的表面而延伸。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||