发明名称 |
薄膜晶体管的制造方法和使用了网目调型掩模的曝光方法 |
摘要 |
本发明公开了薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管、集成电路、液晶显示装置和使用了网目调型掩模的曝光方法。本发明的课题在于形成完全贯通抗蚀剂的接触孔。薄膜晶体管的制造方法都包含在经掩模将来自光源的光线照射到玻璃基板的抗蚀剂上后对该抗蚀剂进行显影而在上述抗蚀剂上形成接触孔的工序,使用i线作为上述光线。 |
申请公布号 |
CN101452858A |
申请公布日期 |
2009.06.10 |
申请号 |
CN200810175143.0 |
申请日期 |
2006.04.03 |
申请人 |
株式会社液晶先端技术开发中心 |
发明人 |
山口弘高;松村正清;谷口幸夫 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1. 一种薄膜晶体管的制造方法,包含经掩模将来自光源的光线入射到光学系统上并将经过了上述光学系统的光线照射到在玻璃基板的表面上设置的感光材料膜上以曝光该感光材料膜的工序,其特征在于:上述光线是i线,上述掩模是遮光性的铬掩模,用于形成在上述玻璃基板上形成的薄膜晶体管的接触孔的、由上述铬掩模形成的掩模图案是长方形状的光透过区域和光遮蔽区域的某一方,上述光学系统是等倍率投影光学系统,在将k1定为具有0.40至0.43的值的系数并将R定为上述长方形的短边方向的长度尺寸时,具有利用下式得到的数值孔径NA2:NA2=k1×0. 365/R。 |
地址 |
日本神奈川县 |