像素结构的制作方法以及像素结构

摘要

本发明公开了一种像素结构的制作方法包括下列步骤：先提供一具有一像素区的基板。在基板上形成一第一金属层、一栅绝缘层与一半导体层后，藉由第一半调式或灰调式光掩膜将其图案化，形成一晶体管图案、一下层电容图案与一下层线路图案。接着，在依序形成覆盖上述三图案的一介电层与一电极层后，再将其图案化，以暴露出部分下层线路、下层电容与晶体管图案的一源极/漏极区，并在其上形成一第二金属层。然后，经由第二半调式或灰调式光掩膜图案化第二金属层与电极层，形成一上层线路、一源极/漏极图案与一上层电容图案，且部分电极层构成一像素电极。

主权项

1. 一种像素结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板，该基板具有一像素区；依序形成一第一金属层、一栅绝缘层与一半导体层于该基板上；图案化该第一金属层、该栅绝缘层与该半导体层，以形成一晶体管图案、一下层电容图案，一下层线路图案，其中该晶体管图案与该下层电容图案分别包括该第一金属层、该栅绝缘层与该半导体层，而该下层线路图案包括该第一金属层；依序形成一介电层与一电极层于该基板上，其中该介电层与该电极层覆盖该晶体管图案、该下层电容图案与该下层线路图案；图案化该介电层与该电极层，以暴露出部分该下层线路图案、部分该下层电容图案以及该晶体管图案的一源极/漏极区；形成一第二金属层于该电极层上，并使该第二金属层电性连接至该下层线路图案、该下层电容图案以及该晶体管图案的该源极/漏极区；以及图案化该第二金属层与该电极层，以形成一上层线路图案、一源极/漏极图案以及一上层电容图案，并且该像素区内的该第二金属层暴露出部分的该电极层以作为一像素电极。