OTP存储器单元及其读取和编程方法

摘要

本发明公开了一种OTP存储器单元，其包括两个PMOS晶体管，其中一个PMOS晶体管的栅极为该OTP存储器单元的字线端，该PMOS晶体管的源极为该OTP存储器单元的源极端，该PMOS晶体管的漏区和另一个晶体管的源区共用一个P⁺区，所述另一个PMOS晶体管的栅极位于浮置状态，所述另一个PMOS晶体管的漏极为该OTP存储器单元的位线端。通过在衬底上加正的电压耦合到浮置的栅极上进行实现一次编程，不需要通过另一个MOS电容进行电压耦合，从而在节省了OTP存储器芯片面积的同时，降低制备成本。本发明还公开了上述OTP存储器单元的读取和编程方法。

主权项

1、一种OTP存储器单元，其特征在于：所述OTP存储器单元包括第一个PMOS晶体管和第二个PMOS晶体管，所述第一个PMOS晶体管的栅极为该OTP存储器单元的字线端，所述第一个PMOS晶体管的源极为该OTP存储器单元的源极端，所述第一个PMOS晶体管的漏区和所述第二个晶体管的源区共用一个P+区，所述第二个PMOS晶体管的栅极位于浮置状态，所述第二个PMOS晶体管的漏极为该OTP存储器单元的位线端。