具有分段位线的非易失性存储单元阵列和操作方法

摘要

将一集成电路的一个存储单元阵列组织为金属位线是分段的。该存储单元可以是非易失性存储单元，如浮栅、闪存、EEPROM或EPROM存储单元。将该存储单元的位线捆扎到金属，并且该金属位线是分段的。按照所希望地允许配置(例如，编程)或者读该存储单元可将该各个片段接入至电压。该编程电压可以是一个高于该集成电路的VCC的高电压。通过将该金属位线分成片段，这将减少位线之间的噪声及提高性能和可靠性，并且因于相比于一条长的金属位线(即其中所有片段是接入在一起的并象一条那样操作)减少了寄生电容而减少了电量消耗。

主权项

1. 一种集成电路，包括一个可再编程非易失性存储单元(208)阵列(103)，所述阵列具有第一、第二和第三操作模式，且包含各自划分为至少第一和第二片段(304、308)的复数个导电位线(204)，所述片段都有存储单元与之连接；一个第一传输门(328)，其用于在以所述第一模式操作时连接所述第一和第二片段，但在以所述第二和第三模式操作时保持所述片段分离；一个第二传输门(333)，其用于在以所述第二模式操作时将所述第一片段(304)连接至一第一电源；及一个第三传输门(343)，其用于在以所述第三模式操作时将所述第二片段(308)连接至一第二电源，其特征在于在以所述第一模式和所述第三模式操作时，所述第二传输门(333)保持所述第一片段与所述第一电源分离；及在以所述第一模式和所述第二模式操作时，所述第三传输门(343)保持所述第二片段与所述第二电源分离。