| 发明名称 | 一种控制阴离子聚合反应的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种控制阴离子聚合反应的方法，将引发剂缔合物同时或者分别在不同时刻或者不同阶段直接或者以溶液形式添加到单体或者引发剂中，进行阴离子聚合反应，利用引发剂缔合物的金属原子与引发剂阳离子缔合，而具有较大体积或空间位阻的烃氧基来限制单体加成通道的方式实现对聚合速度进行限制，抑制副反应的发生，并对聚合温度进行控制与调节，使其可升高至室温乃至更高的温度下进行，所述的引发剂缔合物和引发剂的摩尔比为0.01∶1至20∶1。与现有技术相比，本发明可对各种阴离子聚合单体的均聚及共聚反应速度、副反应以及聚合温度进行控制及调节，使之易于实现工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN101429256A | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200710047817.4 | 申请日期 | 2007.11.05 |
| 申请人 | 华东理工大学 | 发明人 | 郑安呐;张健;管涌;胡福增;危大福;王书忠 |
| 分类号 | C08F2/00(2006.01)I;C08F2/06(2006.01)I;C08F2/38(2006.01)I;C08F4/48(2006.01)I;C08F297/02(2006.01)I | 主分类号 | C08F2/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海科盛知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵志远 |
| 主权项 | 1. 一种控制阴离子聚合反应的方法，其特征在于，将引发剂缔合物同时或者分别在不同时刻或者不同阶段直接或者以溶液形式添加到单体或者引发剂中，进行阴离子聚合反应，利用引发剂缔合物的金属原子与引发剂阳离子缔合，而具有较大体积或空间位阻的烃氧基来限制单体加成通道的方式实现对聚合速度进行限制，抑制副反应的发生，并对聚合温度进行控制与调节，使其可升高至室温乃至更高的温度下进行，所述的引发剂缔合物和引发剂的摩尔比为0.01∶1至20∶1。 | ||
| 地址 | 200237上海市梅陇路130号 | ||