发明名称 一种使用键合技术的透明电极发光二极管的制作方法
摘要 本发明(采用键合技术的透明电极发光二极管)的主要特征在于,发光二极管在使用键合工艺后采用透明的导电薄膜作为接触电极,压焊点只是起机械粘附和焊线的功能,如摘要附图所示。本发明提出的器件结构有利于增大芯片的出光效率。
申请公布号 CN101431133A 申请公布日期 2009.05.13
申请号 CN200710168129.3 申请日期 2007.11.08
申请人 陈祖辉 发明人 陈祖辉
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 1. 这种发光二极管的方法,其特征在于,使用键合后的LED芯片n型GaN采用透明电极。
地址 361000福建省厦门市湖里区江头北路76号(东方威尼斯A栋)506室