硅基缺陷掺杂发光薄膜材料的制备方法

摘要

硅基缺陷掺杂发光薄膜材料的制备方法，属于半导体光电子材料技术领域，特别涉及半导体硅基发光薄膜材料的制备方法。硅基缺陷掺杂发光薄膜材料是在硅基片上利用三氧化二硼、三氧化二铝、三氧化二镓、三氧化二铟、磷的氧化物、砷的氧化物、锑的氧化物、铋的氧化物这8种材料中的一种或多种和二氧化硅混合的基础上，掺入具有高还原性的单质铝原子。接着经过一个非氧化气氛下的高温退火过程，利用单质铝原子的高还原性，使整个薄膜材料体系因欠氧而生成与氧空位相关的缺陷发光中心。这种硅基缺陷掺杂发光薄膜材料可应用于硅基半导体照明。

主权项

1、硅基缺陷掺杂发光薄膜材料的制备方法，是在硅基片上利用三氧化二硼(B2O3)、三氧化二铝(Al2O3)、三氧化二镓(Ga2O3)、三氧化二铟(In2O3)、磷的氧化物、砷的氧化物、锑的氧化物、铋的氧化物这8种材料中的一种或多种和二氧化硅混合的基础上，掺入具有高还原性的单质铝原子。接着经过一个非氧化气氛下的高温退火过程，利用单质铝原子的高还原性，使整个薄膜材料体系因欠氧而生成与氧空位相关的缺陷发光中心。包括以下步骤：步骤1：在硅基片上制备混合有三氧化二硼(B2O3)、三氧化二铝(Al2O3)、三氧化二镓(Ga2O3)、三氧化二铟(In2O3)、磷的氧化物、砷的氧化物、锑的氧化物、铋的氧化物这8种材料中的一种或多种、二氧化硅以及单质铝原子的薄膜材料；步骤2：非氧化气氛下高温退火，使整个薄膜材料因欠氧而生成与氧空位相关的缺陷发光中心。