| 发明名称 | 氮化物半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括：提供具有GaN层的氮化物半导体发光器件，使氮化物半导体发光器件与氢分离金属接触，使氮化物半导体发光器件和氢分离金属振动，从氮化物半导体发光器件的GaN层除去氢并且从氮化物半导体发光器件分离氢分离金属。 | ||
| 申请公布号 | CN100485981C | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200580026864.X | 申请日期 | 2005.07.08 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 尹浩相 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 1. 一种制造氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括：提供具有GaN层的氮化物半导体发光器件；使所述氮化物半导体发光器件与氢分离金属接触；使氮化物半导体发光器件和氢分离金属振动；和从氮化物半导体发光器件的GaN层除去氢并且从氮化物半导体发光器件分离氢分离金属；其中加工温度为400℃或更低。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||