一种实现NOR FLASH坏块管理的方法及其控制电路

摘要

一种实现NOR FLASH坏块管理的方法及其控制电路，涉及FLASH闪存技术领域。本发明控制电路包括分为普通区、常用区和替换区的FLASH。普通区和常用区为系统总线可访问区域，普通区不可被替换。常用区可通过替换区对坏块的逻辑地址进行替换。替换区为常用区的替换备份区。本发明控制电路还包括控制FLASH擦替换的擦替换控制单元、系统上电时用来检查并校验写错误的上电纠错单元、索引存储单元以及控制FLASH擦写时序的FLASH接口单元。同现有技术相比，本发明通过对FLASH进行物理上的配置分区，对坏块进行记录和擦写替换以及上电纠错，实现系统逻辑地址访问NOR FLASH时，有不同擦写耐力。

主权项

1、一种实现NOR FLASH坏块管理的方法，将FLASH分为普通区、常用区和替换区，其主要步骤为：①系统上电时，上电纠错单元检查索引存储单元信息，如有损坏，校验索引存储单元的错误信息并对其进行纠正；②系统访问NOR FLASH普通区时，如出现坏块不做替换；当系统擦常用区发现有坏块时，擦替换控制单元通过FLASH接口单元在索引存储单元的信息里找到替换区已被替换的地址索引的最大值，然后改写索引存储单元；③系统访问常用区坏块地址时，控制电路将通过索引存储单元自动找到替换区的替换数据块。