发明名称 制造具有凹腔的基板的方法
摘要 本发明一个方面的特征是用于制造具有凹腔的基板的方法。该方法可包括:(a)在上部晶种层上形成上层电路;(b)将干膜层压在上部晶种层的其中将形成有凹腔的部分上;(c)通过在上部晶种层的顶部上以及上层电路的顶部和侧部上形成绝缘层而制造上部外层;(d)将上部外层堆叠在形成有内部电路的芯层的一侧上;(e)去除上部晶种层;以及(f)通过去除干膜而形成凹腔。根据本发明用于制造具有凹腔的基板的方法,可在绝缘层的厚度保持不变的同时,通过在外部电路的侧部上形成绝缘层而减小基板的总厚度。
申请公布号 CN100481357C 申请公布日期 2009.04.22
申请号 CN200710079350.1 申请日期 2007.02.15
申请人 三星电机株式会社 发明人 郑会枸;姜明杉;金智恩;朴正现
分类号 H01L21/48(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H05K3/00(2006.01)I;H05K3/46(2006.01)I;H05K1/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/48(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 章社杲;吴贵明
主权项 1. 一种用于制造具有凹腔的基板的方法,所述方法包括:(a)在上部晶种层上形成上层电路;(b)将干膜层压在所述上部晶种层的一部分上,其中在该部分的上方将形成凹腔;(c)通过在所述上部晶种层的顶部上以及所述上层电路的顶部和侧部上形成绝缘层而制造上部外层;(d)将所述上部外层堆叠在形成有内部电路的芯层的一侧上;(e)去除所述上部晶种层;以及(f)通过去除所述干膜而形成所述凹腔。
地址 韩国京畿道