摘要 |
<p>Strahlungsemittierendes Bauelement (8), das aufweist einen Halbleiterschichtenstapel (10) mit einem aktiven Bereich (12), der zur Emission elektromagnetischer Strahlung (R) ausgebildet ist, und mindestens eine Oberfläche (14, 15, 16, 17) des Halbleiterschichtenstapels (10) oder eines zur Transmission der elektromagnetischen Strahlung (R) ausgebildeten optischen Elements (18, 20), wobei die Oberfläche (14, 15, 16, 17) einen Normalenvektor (N) hat, wobei auf der mindestens einen Oberfläche (14, 15, 16, 17) des Halbleiterschichtenstapels (10) oder des optischen Elements (18, 20), durch die die elektromagnetische Strahlung (R) hindurchtritt, eine Antireflexionsschicht (30) angeordnet und derart ausgebildet ist, dass sie für eine vorgegebene Wellenlänge eine minimale Reflexion unter einem auf den Normalenvektor (N) der Oberfläche (14, 15, 16, 17) bezogenen Betrachtungswinkel (Alpha) aufweist, bei dem die Zunahme eines zonalen Lichtflusses der elektromagnetischen Strahlung (R) in etwa ein Maximum aufweist.</p> |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
发明人 |
GROETSCH, STEFAN;MARFELD, JAN;SORG, JOERG ERICH;ENGL, MORITZ;KOEHLER, STEFFEN |