| 发明名称 | 一种InP-InAsP纳米线LED及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种InP-InAsP纳米线LED及其制备方法，属于发光二极管技术领域。包括衬底，衬底的一面自下而上依次沉积设置p-InP纳米线层、InAs<sub>x</sub>P<sub>1-x</sub>纳米线阵列和n-InP纳米线层，衬底的另一面沉积设置第一电极，n-InP纳米线层上沉积设置第二电极，InAs<sub>x</sub>P<sub>1-x</sub>纳米线阵列为LED的有源层，其中x值的范围为0～0.6。本发明以InAsP纳米线阵列作为有源层，可获得较高发光效率；根据不同场合或不同客户的需要，通过对InAsP纳米线阵列的尺寸等进行控制调节，可得到不同波段的出射光，可制备出发红光、红外光和中红外光等多种颜色的发光器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101399306A | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200810122000.3 | 申请日期 | 2008.11.06 |
| 申请人 | 中国计量学院 | 发明人 | 沈常宇;金尚忠;彭德光;林科;周盛华;古元华 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州浙科专利事务所 | 代理人 | 吴秉中 |
| 主权项 | 1. 一种InP-InAsP纳米线LED及其制备方法，其特征在于包括衬底(2)，衬底(2)的一面自下而上依次沉积设置p-InP纳米线层(3)、InAsxP1-x纳米线阵列(4)和n-InP纳米线层(5)，衬底(2)的另一面沉积设置第一电极(1)，n-InP纳米线层(5)上沉积设置第二电极(6)，InAsxP1-x纳米线阵列(4)为LED的有源层，其中x值的范围为0～0.6。 | ||
| 地址 | 310018浙江省杭州市下沙高教园区学源街258号 | ||