一种P、N纸源同一扩散过程制造硅二极管PN结的方法

摘要

本发明公开了一种P、N纸源同一扩散过程制造硅二极管PN结的方法。包括如下步骤：1)于同一时间同一过程里，在N-型硅单晶片的正反两个面上分别完成P+型半导体杂质扩散和N+型半导体杂质扩散，得到P+/N-/N+结构；2)研磨硅片的P+表面与N+表面；3)在硅片的表面镀上镍层；4)将P+/N-/N+结构的硅片锯切成二极管芯片；5)通过隧道炉将二极管芯片与封装底座焊接；6)进行二极管垂直台面的酸洗，PN结的表面钝化，压模，成型，制成整流二极管。本发明革除了普通采用的氧化膜掩蔽下定区域扩散半导体杂质的晶体管平面工艺，简化硅整流二极管的制造工艺流程，缩短生产周期，降低成本，提高产品性价比。

主权项

1. 一种P、N纸源同一扩散过程制造硅二极管PN结的方法，其特性在于包括如下步骤：1)同一过程中在N-型硅单晶片的正反两个面上分别完成P+型半导体杂质扩散和N+型半导体杂质扩散，得到P+/N-/N+结构；2)研磨硅片的P+表面与N+表面；3)在硅片的表面镀上镍层；4)将P+/N-/N+结构的硅片锯切成二极管芯片；5)通过隧道炉将二极管芯片与封装底座焊接；6)进行二极管垂直台面的酸洗，PN结的表面钝化，压模，成型，制成整流二极管。