相变化记忆桥

摘要

本发明系有关于一种记忆元件及其制造方法。此处所描述之记忆元件的实施例包括了一导电位元线以及复数个第一电极。此记忆元件也包括了复数个绝缘构件，该绝缘构件具有一介于对应的一第一电极与一部分做为一第二电极的该位元线之间的一厚度。此记忆元件更包括了一记忆材料桥阵列，其具有至少两个固态相，该桥接触各自的第一电极且延伸通过对应的绝缘构件至该位元线。该桥定义一介于相对应的第一电极与位元线之间的电极间路径且由该绝缘构件的该厚度来定义。