半导体发光元件及其制造方法

摘要

本发明揭露一种半导体发光元件及其制造方法。根据本发明之半导体发光元件包含一基板、一缓冲层、一多层结构及一欧姆电极结构。该缓冲层系选择性地形成于该基板之一上表面上，致使该基板之该上表面部份外露。该多层结构系形成以覆盖该缓冲层及该基板之外露的该上表面。该多层结构并且包含一发光区。该缓冲层辅助该多层结构之一最底层侧向磊晶及垂直磊晶。该欧姆电极结构系形成于该多层结构上。