| 发明名称 | 相变化存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种相变化存储器及其制造方法。该相变化存储器包含相变化材料层，其中该相变化材料层具有凹陷部；以及加热源，其中该加热源具有延伸部，其中该加热源的延伸部楔入该相变化材料层的凹陷部。 | ||
| 申请公布号 | CN101373814A | 申请公布日期 | 2009.02.25 |
| 申请号 | CN200710142372.8 | 申请日期 | 2007.08.22 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 林永发;王德纯 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云;许向华 |
| 主权项 | 1.一种相变化存储器元件，包括:相变化材料层，其中该相变化材料层具有凹陷部；以及加热源，其中该加热源具有延伸部，其中该加热源的延伸部楔入该相变化材料层的凹陷部。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||