| 摘要 |
本发明的课题是在于使资讯的记忆可能的半导体装置的性能提升。其解决手段是以下部电极BE侧的第1层ML1及上部电极TE侧的第2层ML2来形成记忆元件RM的记忆层ML。第1层ML1是使Cu，Ag，Au，Al，Z，Cd的第1元素群的至少1种类含有20原子％以上70原子％以下，使V，Nb，Ta，Cr，Mo，W，Ti，Zr，Hf，Fe，Co，Ni，Pt，Pd，Rh，Ir，Ru，Os，镧系元素的第2元素群的至少1种类含有3原子％以上40原子％以下，使S，Se，Te的第3元素群的至少1种类含有20原子％以上60原子％以下。第2层ML2是使第1元素群的至少1种类含有5原子％以上50原子％以下，使第2元素群的至少1种类含有10原子％以上50原子％以下，使氧含有30原子％以上70原子％以下。 |
