| 发明名称 | 在光致抗蚀剂层表面内形成凹陷的方法 | ||
| 摘要 | 在光致抗蚀剂层(1)的表面(4)内形成凹陷(15)的方法，该方法包括使用第一剂量的辐射能量(7)曝光(100、120、101、102、122)光致抗蚀剂层的第一部分(12)。使用第二剂量的辐射能量(7)曝光(120、101、122)该层的第二部分(17)。第二剂量小于第一剂量。烘焙(110、130、131、132)该层。 | ||
| 申请公布号 | CN100458569C | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200480036934.5 | 申请日期 | 2004.11.29 |
| 申请人 | 惠普开发有限公司 | 发明人 | M·夏拉维;T·R·斯特朗 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);B01J2/14(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘红;陈景峻 |
| 主权项 | 1.在光致抗蚀剂层(1)的表面(4)内形成凹陷(15、15’，24)的方法，所述方法包括：使用第一剂量的辐射能量(7)曝光(100、120，101，102、122)光致抗蚀剂层(1)的第一部分(12)；使用第二剂量的辐射能量(7)曝光(120，101，122)光致抗蚀剂层(1)的第一部分(12)和第二部分(17)，该第二剂量不一定小于第一剂量(100、120)，第一部分(12)接收的总剂量大于第二部分(17)接收的总剂量；以及烘焙(110、130，131，132)该光致抗蚀剂层(1)；根据该光致抗蚀剂材料选择辐射能量(7)的剂量以及升高的温度，使得烘焙(110、130，131，132)在光致抗蚀剂层(1)的表面内形成凹陷(15、15’，24)。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||