发明名称 |
高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)<SUB>0.5</SUB>In<SUB>0.5</SUB>P外延片的生长方法 |
摘要 |
一种获得高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)<SUB>0.5</SUB>In<SUB>0.5</SUB>P外延片的生长方法,包括:将衬底放入低压金属有机化学气相沉积系统的反应室中,外延生长前将反应室升温、降压;分别以III族金属有机源和V族氢化物源为先驱源,在载气带动下进入反应室,在衬底上依次生长缓冲层、下包层和下波导层;将氢化物磷源切换为有机磷源,其他先驱源不变,在载气带动下进入反应室,以低V/III比在下波导层上生长有源层;将有机磷源切换回氢化物磷源,在有源层上依次生长上波导层、上包层和欧姆接触层;关闭载气和所有先驱源,向反应室充入氮气,升压;将外延片在反应室中进行退火;将外延片从反应室中取出,完成外延片的制作。 |
申请公布号 |
CN101358335A |
申请公布日期 |
2009.02.04 |
申请号 |
CN200710119872.X |
申请日期 |
2007.08.02 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
仲莉;马骁宇 |
分类号 |
C23C16/22(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01S5/00(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/22(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
1、一种获得高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)0.5In0.5P外延片的生长方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:将衬底放入低压金属有机化学气相沉积系统的反应室中,外延生长前将反应室升温、降压;步骤3:分别以III族金属有机源和V族氢化物源为先驱源,在载气带动下进入反应室,在衬底上依次生长缓冲层、下包层和下波导层;步骤4:保持反应室温度不变,将氢化物磷源切换为有机磷源,其他先驱源不变,在载气带动下进入反应室,以低V/III比在下波导层上生长有源层;步骤5:将有机磷源切换回氢化物磷源,在有源层上依次生长上波导层、上包层和欧姆接触层;步骤6:关闭载气和所有先驱源,向反应室充入氮气,升压;步骤7:将反应室降温,外延片在反应室中进行退火;步骤8:将外延片从反应室中取出,完成外延片的制作。 |
地址 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |