发明名称 曝光掩模的对位方法以及薄膜元件基板的制造方法
摘要 本发明的目的是提供一种既能保持同一曝光掩模中对准标记之间保持最小容许间距,又能缩小对象体的对准标记所需要的区域的曝光掩模的对位方法,及使用该方法的薄膜元件基板的制造方法。本发明提供:使用形成对准标记的多个全息照相掩模,对成为形成对准标记曝光对象的对象体进行图案曝光时,使用两个对准标记,进行多次全息照相掩模和对象体进行对位的曝光掩模的对位方法,连续进行三次以上对位中,将对象体上第3次对位用的对准标记,设在第2次和第1次对位用对准标记之间,或者,相对于第1次对位用对准标记,设在第2次对位用对准标记所在一侧的相反侧上,进行对位的方法。
申请公布号 CN100451839C 申请公布日期 2009.01.14
申请号 CN200510103929.8 申请日期 2005.09.15
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 入口千春
分类号 G03F7/20(2006.01);G03F9/00(2006.01);G03H1/00(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 G03F7/20(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 李香兰
主权项 1.一种曝光掩模的对位方法,是使用已形成对准标记的多个全息照相掩模,对成为形成对准标记曝光对象的对象体进行图案曝光时,使用两者的对准标记,进行多次上述全息照相掩模和上述对象体的对位,其特征在于:至少连续进行三次对位中,将上述对象体上第3次对位用的对准标记,设在第2次和第1次各次对位用的对准标记之间,或者设在相对于第1次对位用的对准标记,与第2次对位用的对准标记的所在一侧的相反侧上,进行对位。
地址 日本东京