发明名称 微带双频段功率分配器
摘要 本实用新型涉及一种微带双频段功率分配器。该分配器的两条之路呈上下对称结构,接地板上方为介质基片,该介质基片上方为第一金属导带、第二金属导带、输入端口、第一输出端口和第二输出端口;其中第一金属导带和第二金属导带为自然耦合;输入端口和第一金属导带的连接处与接地板之间设置接地过孔;在该接地过孔中设置LC振荡电路的电容和电感;第一隔离电阻位于第一金属导带和第二金属导带的上支带连接处和下支带连接处之间;第二隔离电阻位于上支带中第二金属导带与第一输出端口的连接处和下支带中第二金属导带与第二输出端口的连接处之间。本实用新型能够在0.9GHz和1.8GHz附近形成通带,而在1.35GHz附近形成阻带,从而实现双频的要求。
申请公布号 CN201174417Y 申请公布日期 2008.12.31
申请号 CN200820033741.X 申请日期 2008.04.03
申请人 南京理工大学 发明人 唐万春;陈如山;丁大志;王丹阳;许小卫;王晓科;林叶嵩;温中会;钟群花;蒋石磊
分类号 H01P5/12(2006.01) 主分类号 H01P5/12(2006.01)
代理机构 南京理工大学专利中心 代理人 朱显国
主权项 1、一种微带双频段功率分配器,其特征在于:整个功率分配器的两条之路呈上下对称结构,接地板[8]上方为介质基片[7],该介质基片[7]上方为第一金属导带[1]、第二金属导带[2]、输入端口[10]、第一输出端口[11]和第二输出端口[12];其中第一金属导带[1]和第二金属导带[2]为自然耦合;输入端口[10]和第一金属导带[1]的连接处与接地板[8]之间设置接地过孔[9];在该接地过孔[9]中设置LC振荡电路的电容[5]和电感[6];第一隔离电阻[3]位于第一金属导带[1]和第二金属导带[2]的上支带连接处和下支带连接处之间;第二隔离电阻[4]位于上支带中第二金属导带[2]与第一输出端口[11]的连接处和下支带中第二金属导带[2]与第二输出端口[12]的连接处之间。
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