| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma oder Radikalen für Ätz- und Abscheideprozesse in der Halbleitertechnologie, mit einem an beiden Enden abgeschlossenen Hohlleiter (2) mit einer Gesamtlänge (L) und einem rechteckigen Querschnitt mit einer inneren Länge (a) und einer inneren Breite (b), einem Magnetron (3) zur Einspeisung von Mikrowellenenergie in den Hohlleiter (2) zur Bildung eines stehenden Mikrowellenfeldes mit einer Wellenlänge (?) im Hohlleiter (2), und mit einem Reaktionsrohr (1) aus dielektrischem Material zur Führung eines Prozessgases, welches Reaktionsrohr (1) den Hohlleiter (2) in Richtung der Querschnittslänge (a) durchdringt, und mit einer Zuleitung (7) für das Prozessgas verbunden ist und in einer Prozesskammer (8) mündet, wobei in dem als Wechselwirkungsvolumen (9) bezeichneten Bereich des Reaktionsrohres (1) innerhalb des Hohlleiters (2) das Prozessgas durch das Mikrowellenfeld angeregt wird. Zur Erzielung einer höheren Leistungsausbeute ist vorgesehen, dass das Reaktionsrohr (1) in Längsrichtung des Hohlleiters (2) im Bereich maximaler magnetischer und minimaler elektrischer Feldstärke des Mikrowellenfeldes positioniert ist, das Magnetron (3) mit einer Einrichtung (4) zur Lieferung einer gepulsten Spannungsversorgung verbunden ist, und das Prozessgas einen Druck zwischen 50 Pa und 500 Pa aufweist.</p> |
