| 主权项 |
1﹒一种磁—光记录媒体,包括:—主体;—在基体上之磁—光记录层;以及—在磁—光记录层上之第一金属保护层,该金属保护层系由钛合金所制成,该钛合金即由(i)钛及铼;(ii)钛及铬;(iii)钛及钽;(iv)钛、铼、及铬;(v)钛、铼及钽;(vi)钛;熔及钽;或(vii)钛、铼、铬及钽所构成。2﹒如申请专利范围第1项所述之媒体,其中,该钛合金包含2至80%之(i)铗;(ii)铬;(iii)鉏;(iv)铼及铬;(v)铼及钽;或(vi)铬及钽之原子。3﹒如申请专利范围第2项所述之媒体,其中,该钛合金包合10至80%之(i)铗;(ii)铬;(iii)鉏;(iv)铼及铬;(v)铼及钽;或(vi)铬及钽之原子。4﹒如申请专利范围第3项所述之媒体,其中,该钛合金包含15至50%之(i)铼;(ii)铬;(iii)鉏;(iv)铼及铬;(v)铼及钽;或(vi)铬及钽之原子。5﹒如申请专利范围第4项所述之媒体,其中,该钛合金包含30至50%之(i)铼;(ii)铬;(iii)鉏;(iv)铼及铬;(v)铼及钽;或(vi)铬及钽之原子。6﹒如申请专利范围第1项所述之媒体,其中,该钛合金是—非晶形合金,其包合20至80%之(i)铼;(ii)铬;或(iii)铼及铬之原子。7﹒如申请专利范围第1项所述之媒体,其中,该磁光记录层为一稀土金属及一过渡金属之合金所制。8﹒如申请专利范围第1项所述之媒体,另包含一第一介质层在基体及磁—光记录层之间。9﹒如申请专利范围第8项所述之媒体,另包含一有机保护层在第一金属保护层上。10﹒如申请专利范围第8项所如之媒体,其更包括一与磁—光记录层接触及在第一介质层及磁光记录层间之第二金属保护层,该第二金属保护层系由钛合金所制成,该钛合金即由(i)钛及铼;(ii)钛及铬;(iii)钛及钽;(iv)钛、铼及铬;(v)钛、铼及钽;(vi)钛、铬及钽;或(vii)钛、铼、铬及钽所构成,并具有1至5nm之厚度。11﹒如申请专利范围第10项所述之媒体,另包含一有机保护层在第一金属保护层上。12﹒如申请专利范围第8项所述之媒体,其中,该第一金属保护层亦用作反射层。13﹒如申请专利范围第12项所述之媒体,另包含一第二介质层在磁—光记录层及第一金属保护层之间。14﹒如申请专利范围第13项所述之媒体,其更包括一与磁—光记录层之至少一面接触之第三金保护层,该第三金属保护层系由钛合金所制成,该钛合金即由(i)钛及铼;(ii)钛及熔;(iii)钛及钽;(iv)钛、铼及铬;(v)钛、铼及钽;(vi)钛、铬及钽;或(vii)钛、铼、铬及钽所构成,并具有1至5nm之厚度。15﹒一种磁—光记录媒体,包括:一基体;一在基体上之磁—光记录层;以及一在磁—光记录层上之反射层;及一在反附层上之第一金属保护层,该金属保护层系钛合金所制成,该钛合金即由(i)钛及铼;(ii)钛及铬;(iii)钛及钽;(iv)钛、铼及熔;(v)钛、铼及钽;(vi)钛、铬及钽;或(vii)钛、铼、铬及钽所构成。16﹒如申请专利范围第15项所述之媒体,其中,该反射层为一金属层,具有反射率高于第一金属保护层者。17﹒如申请专利范围第15项所述之媒体,另包含一第一介质层在基体及磁—光记录层之间。18﹒如申请专利范围第17项所述之媒体,另包含一有机保护层在第一金属保护层上。19﹒如申请专利范围第17项所述之媒体,其更包括一与磁—光记录层之至少一面接触之第二金属保护层,该金属保护层为钛合金所制成,该钛合金即由(i)钛及铼;(ii)钛及铬;(iii)钛及钽;(iv)钛、铼及铬;(v)钛、铼及钽;(vi)钛、铬及钽;或(vii)钛、铼、铬及钽所构成,并具有1至5nm之厚度。20﹒如申请专利范围第17项所述之媒体,另包含一第二介质层在磁—光记录层及反射层之间。21﹒如申请专利范围第20项所述之媒体,另包合至少一第二金属保护层,与磁—光记录层之至少一面接触。22﹒如申请专利范围第20项所述之媒体,另包含一有机保护层在第一金属保护层上。 |
