| 发明名称 | 兰姆波器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种兰姆波器件，其具有：衬底基板(2)；压电薄膜(3)，其形成在所述衬底基板(2)上，具有从该衬底基板(2)浮起的部分，该浮起的部分具有与衬底基板(2)相对的第一面(3a)和相反一侧的面即第二面(3b)。所述压电薄膜(3)由LiTaO<SUB>3</SUB>或LiNbO<SUB>3</SUB>构成。所述压电薄膜(3)的c轴处于与相对于所述压电薄膜(3)的第一、第二面的法线大致相同的方向，并且是把c轴作为旋转轴的旋转双晶。利用该兰姆波的器件，能有效抑制不希望的模式引起的乱真的构造。 | ||
| 申请公布号 | CN101292423A | 申请公布日期 | 2008.10.22 |
| 申请号 | CN200680039274.5 | 申请日期 | 2006.10.04 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 小上贵史;山本观照;门田道雄 |
| 分类号 | H03H9/25(2006.01);H01L41/09(2006.01);H01L41/18(2006.01);H01L41/22(2006.01);H03H9/145(2006.01) | 主分类号 | H03H9/25(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种兰姆波器件，其中，具有：衬底基板；压电薄膜，其形成在所述衬底基板上，具有从该衬底基板浮起的部分，该浮起的部分具有与衬底基板相对的第一面以及相反侧的面即第二面；IDT电极，其配置在所述压电薄膜的第一、第二面的至少一方，所述压电薄膜由LiTaO3或LiNbO3构成，所述压电薄膜的c轴，处于与相对于所述压电薄膜的第一、第二面的法线大致相同的方向，该压电薄膜的晶体结构是以c轴为旋转轴的旋转双晶。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||