| 发明名称 | 非挥发性内存及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种非挥发性内存及其制造方法，其中：一选择闸(140)形成于一半导体上。一介电层(810，1010，1030)形成于该选择闸上。一浮置闸层(160)形成于该选择闸上。自该选择闸的至少一部分上移除该浮置闸。一介电层(1510)形成于该浮置闸层上，且一控制闸层(170)形成于此介电层上。该控制闸层具有一向上突出部于选择闸上。另一层(1710)形成于该控制闸层上，曝露出控制闸层的突出部。选择性蚀刻该控制闸层的曝露部分，直到控制闸层自该选择闸的至少一部分上移除。另一层(1910)形成于该控制闸层的曝露部分，其为热形成的二氧化硅。移除氮化硅层。对二氧化硅选择性地蚀刻该控制闸层、ONO层及浮置闸层，以定义控制闸及浮置闸。 | ||
| 申请公布号 | CN100395881C | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200410058875.3 | 申请日期 | 2004.07.30 |
| 申请人 | 台湾茂矽电子股份有限公司 | 发明人 | 丁逸 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L21/8239(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王玉双;高龙鑫 |
| 主权项 | 1.一种制造一集成电路的方法，该集成电路包含一非挥发性内存单元，其包含彼此相互绝缘的一第一导电闸、一第二导电闸及一导电浮置闸，该方法包括步骤：(a)形成该第一导电闸于一半导体基板上，及形成一介电质于该第一导电闸的一侧壁上，以使该第一导电闸与该浮置闸绝缘；(b)形成一FG层于该第一导电闸上，其中该浮置闸包含该FG层的一部分；(c)自该第一导电闸的至少一部分上移除该FG层；(d)形成一第二导电闸层于该FG层上，以提供该第二导电闸的至少一部分，该第二导电闸具有突出于该第一导电闸上的一部分P1；(e)形成一氮化层于该第二导电闸层上，使该突出部分P1曝露而未被该氮化层完全覆盖；(f)对该氮化层具选择性地移除位于该部分P1的第二导电闸层，以自该第一导电闸的至少一部分上移除该第二导电闸层；(g)形成一保护层于毗连该第一导电闸的该第二导电闸层的垂直侧壁上；以及(h)对该保护层具选择性地移除至少部分该氮化层、该第二导电闸层及该FG层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹 | ||