发明名称 使用非挥发性奈米管的记忆体元件与交叉点开关及其阵列
摘要 在一面向下,覆盖的奈米管开关包括:(a)包括未对齐之复数个奈米管的奈米管元件,该奈米管元件具有顶表面、底表面及侧表面;(b)与该奈米管元件接触的第一及第二传导端子,其中该第一端子配置于且实质上覆盖该奈米管元件的整个顶表面,且其中该第二端子至少接触该奈米管元件之底表面的一部分;及(c)控制电路可提供电气刺激予该第一及第二端子。回应于该控制电路提供予该第一及第二端子相应之复数电气刺激,该奈米管元件可于复数电子状态之间切换。对每一不同的电子状态而言,该奈米管元件提供该第一及第二端子之间不同电阻的电气途径。
申请公布号 TW200826102 申请公布日期 2008.06.16
申请号 TW096129300 申请日期 2007.08.08
申请人 奈特洛公司 发明人 贝尔汀;黄汉瑞;卢克斯;索维罗
分类号 G11C11/56(2006.01);G11C13/02(2006.01);H01L21/8239(2006.01);B82B1/00(2006.01) 主分类号 G11C11/56(2006.01)
代理机构 代理人 蔡中曾;黄庆源
主权项
地址 美国