| 主权项 |
1.一种半导体封装基板之预焊锡结构,包括: 一电性连接垫,系形成于半导体封装基板之表面; 一绝缘保护层,系形成于电性连接垫周围,且该绝 缘保护层系具有复数个开孔以外露出该等电性连 接垫; 一导电层,系形成于电性连接垫上表面; 一导电柱,系经电镀形成于该电性连接垫上方之导 电层表面;以及 一焊锡材料,系经电镀形成于该导电柱上,该导电 柱与该焊锡材料之间系形成有段差。 2.如申请专利范围第1项之预焊锡结构,其中,该导 电柱顶缘系突出于该绝缘保护层开孔高度。 3.如申请专利范围第1项之预焊锡结构,其中,该导 电柱可选自铅、锡、银、铜、金、铋、锑、锌、 镍、锆、镁、铟、碲以及镓等金属之其中一者。 4.如申请专利范围第1项之预焊锡结构,其中,该导 电层可选自铜、锡、镍、铬、钛、铜-铬合金或锡 -铅合金所构成之群组之其中一者所组成。 5.如申请专利范围第1项之预焊锡结构,其中,该焊 锡材料可选自铅、锡、银、铜、金、铋、锑、锌 、镍、锆、镁、铟、碲以及镓所构成之组群之元 素的混合物所构成之合金。 6.如申请专利范围第1项之预焊锡结构,其中,该焊 锡材料进行回焊制程后系形成预焊锡。 7.如申请专利范围第6项之预焊锡结构,其中,该预 焊锡系完整包覆导电柱突出于该绝缘保护层之表 面。 8.一种半导体封装基板之预焊锡结构之制法,包括: 提供至少一表面形成有多数包括电性连接垫之导 电线路层之封装基板; 于该封装基板表面上形成一绝缘保护层,且该绝缘 保护层具有多数之开孔以外露出该等电性连接垫; 于该绝缘保护层及开孔中的电性连接垫表面形成 一导电层; 于该导电层上形成一图案化阻层,以定义出欲电镀 开孔; 于该绝缘保护层开孔及阻层开孔中依序电镀形成 有导电柱及焊锡材料;以及 以蚀刻制程移除未为该导电柱及该焊锡材料所覆 盖之导电层,使该导电柱与该焊锡材料之间形成段 差。 9.如申请专利范围第8项之预焊锡结构之制法,其中 ,该所形成导电柱之顶缘系突出于该绝缘保护层开 孔高度。 10.如申请专利范围第8项之预焊锡结构之制法,复 包括对该焊锡材料进行回焊(Reflow-Soldering)制程以 形成预焊锡之步骤。 11.如申请专利范围第8项之预焊锡结构之制法,其 中,系利用印刷、旋涂及贴合之任一方式将该绝缘 保护层涂覆于该基板表面,再藉由图案化制程以使 该绝缘保护层覆盖住该导电线路层,而使该电性连 接垫显露于该基板之表面。 12.如申请专利范围第8项之预焊锡结构之制法,其 中,该导电层系作为电镀该导电柱所需之电流传导 路径。 13.如申请专利范围第8项之预焊锡结构之制法,其 中,该阻层为乾膜及液态光阻之光阻层(Photoresist) 所构成之组群之其中一者。 14.如申请专利范围第8项之预焊锡结构之制法,其 中,该阻层系利用印刷、旋涂或贴合之任一方式而 形成于该导电层表面,并藉由曝光、显影而加以图 案化者。 15.如申请专利范围第8项之预焊锡结构之制法,其 中,该导电柱可选自铅、锡、银、铜、金、铋、锑 、锌、镍、锆、镁、铟、碲以及镓等金属之其中 一者。 16.如申请专利范围第8项之预焊锡结构之制法,其 中,该导电层可选自铜、锡、镍、铬、钛、铜-铬 合金或锡-铅合金所构成之群组之其中一者所组成 。 17.如申请专利范围第8项之预焊锡结构之制法,其 中,该焊锡材料可选自铅、锡、银、铜、金、铋、 锑、锌、镍、锆、镁、铟、碲以及镓所构成之组 群之元素的混合物所构成之合金。 18.如申请专利范围第10项之预焊锡结构之制法,其 中,该预焊锡系完整包覆导电柱突出于该绝缘保护 层之表面。 图式简单说明: 第1图系显示一种习知覆晶元件之剖面示意图; 第2图系显示习知具有绝缘保护层与预焊锡凸块之 电路板剖面示意图; 第3图系显示习知藉由模板印刷技术在基板之电性 连接垫上沈积焊锡材料之剖面示意图;以及 第4A至第4I图系显示本发明之半导体封装基板之预 焊锡结构及其制法剖面示意图。 |
