| 摘要 |
Ein Verfahren zur Herstellung eines Hochvolt-CMOS-Bauelements wird bereitgestellt, das keine eigene Maske zum Ausbilden einer Foto-Justiermarke beim Ausbilden eines Gebiets mit einer tiefen Hochvolt-Wanne erfordert. Das Verfahren umfasst Ausbilden einer relativ dicken ersten Oxidschichtstruktur, die ein vorbestimmtes Gebiet eines Halbleitersubstrats freilegt; Ausbilden einer zweiten Oxidschichtstruktur auf dem freigelegten Halbleitersubstrat und Ausbilden eines Gebiets mit einer tiefen Hochvolt-Wanne durch Ausführen einer Ionenimplantation und einer Ausheilung unter Verwendung der ersten Oxidschichtstruktur als Maske. Die zweite Oxidschichtstruktur wird durch die Ausheilung diffundiert, um eine Stufe auf dem Gebiet mit der tiefen Hochvolt-Wanne zu erzeugen. Die Stufe kann als Foto-Justiermarke verwendet werden. |
