发明名称 晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置
摘要 一种晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置,其特点是由激光源、分光器、光束整形系统、多晶硅薄膜基片、光学聚焦系统、受激拉曼光谱接收系统、拉曼数据分析并反馈系统和移动工作台组成,本实用新型可以为多晶硅薄膜的制备的同时进行在线检测,为多晶硅薄膜的制备提供最佳的能量密度,所述的检测为非破坏性测试,具有测试成本低、检测快捷等优点;更重要的是,本装置可以精确地检测多晶硅薄膜的粒度,提高优良率并增加产能。适用于产业化多晶硅薄膜的制备和实时检测,可精确检测晶粒大小并对激光能量密度实时监控。
申请公布号 CN201165564Y 申请公布日期 2008.12.17
申请号 CN200820055759.X 申请日期 2008.02.27
申请人 中国科学院上海光学精密机械研究所 发明人 楼祺洪;袁志军;周军;董景星;魏运荣;赵宏明
分类号 C30B29/06(2006.01);C30B28/02(2006.01) 主分类号 C30B29/06(2006.01)
代理机构 上海新天专利代理有限公司 代理人 张泽纯
主权项 1、一种晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置,其特征在于由激光源(1)、分光器(2)、光束整形系统(4)、多晶硅薄膜基片(5)、光学聚焦系统(7)、受激拉曼光谱接收系统(8)、拉曼数据分析并反馈系统(9)和移动工作台组成,各部件的位置关系如下:所述的多晶硅薄膜基片(5)置于所述的移动工作台上,所述的激光源(1)输出的激光束被分光器(2)分成第一光束(3)和第二光束(6),所述的第一光束(3)经光束整形系统(4)后扫描在移动工作台上的多晶硅薄膜基片(5)进行激光退火,所述的第二光束(6)经所述的光学聚焦系统(7)照射在经过激光退火的多晶硅薄膜基片(5),激发已退火的多晶硅的拉曼光谱并被所述的受激拉曼光谱接收系统(8)接收,然后由拉曼数据分析并反馈系统(9)进行数据处理并反馈至激光源(1),控制激光源(1)输出激光的功率,以调整激光能量密度及其稳定性。
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