发明名称 |
晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置 |
摘要 |
一种晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置,其特点是由激光源、分光器、光束整形系统、多晶硅薄膜基片、光学聚焦系统、受激拉曼光谱接收系统、拉曼数据分析并反馈系统和移动工作台组成,本实用新型可以为多晶硅薄膜的制备的同时进行在线检测,为多晶硅薄膜的制备提供最佳的能量密度,所述的检测为非破坏性测试,具有测试成本低、检测快捷等优点;更重要的是,本装置可以精确地检测多晶硅薄膜的粒度,提高优良率并增加产能。适用于产业化多晶硅薄膜的制备和实时检测,可精确检测晶粒大小并对激光能量密度实时监控。 |
申请公布号 |
CN201165564Y |
申请公布日期 |
2008.12.17 |
申请号 |
CN200820055759.X |
申请日期 |
2008.02.27 |
申请人 |
中国科学院上海光学精密机械研究所 |
发明人 |
楼祺洪;袁志军;周军;董景星;魏运荣;赵宏明 |
分类号 |
C30B29/06(2006.01);C30B28/02(2006.01) |
主分类号 |
C30B29/06(2006.01) |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 |
代理人 |
张泽纯 |
主权项 |
1、一种晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置,其特征在于由激光源(1)、分光器(2)、光束整形系统(4)、多晶硅薄膜基片(5)、光学聚焦系统(7)、受激拉曼光谱接收系统(8)、拉曼数据分析并反馈系统(9)和移动工作台组成,各部件的位置关系如下:所述的多晶硅薄膜基片(5)置于所述的移动工作台上,所述的激光源(1)输出的激光束被分光器(2)分成第一光束(3)和第二光束(6),所述的第一光束(3)经光束整形系统(4)后扫描在移动工作台上的多晶硅薄膜基片(5)进行激光退火,所述的第二光束(6)经所述的光学聚焦系统(7)照射在经过激光退火的多晶硅薄膜基片(5),激发已退火的多晶硅的拉曼光谱并被所述的受激拉曼光谱接收系统(8)接收,然后由拉曼数据分析并反馈系统(9)进行数据处理并反馈至激光源(1),控制激光源(1)输出激光的功率,以调整激光能量密度及其稳定性。 |
地址 |
201800上海市800-211邮政信箱 |