| 摘要 |
本说明书揭示用以构成具有浅射极的一太阳能电池的一光伏半导体装置。该装置包括构成一半导体异质接面的第一及第二相邻相对的半导体材料之掺杂容积。该装置亦包括位在该前侧上的一第一钝化材料层，该第一钝化层具有一第一外表面以及复数之开口，经由该等开口界定未由该第一钝化层所钝化之该前侧对应的未钝化区域。该装置进一步包括位在该钝化层之该第一外表面上以及该前侧之该等对应的未钝化区域上的一第一传导性抗反射涂层。该装置进一步包括位在该第一钝化层之一外表面上的介电抗反射涂层。可在介电抗反射涂层之该外表面上以及该前侧之该等对应未钝化区域上提供一传导性抗反射涂层。该装置之一背侧表面可以复数之方式作最后加工处理，包括在前侧上构成具有开口的一钝化层，构成与该第二掺杂容积相邻的一第三掺杂容积，或是在该背侧表面上于一钝化层上构成具有雷射烧结接点的一铝层。该装置进一步包括位在该背侧表面上的第二传导性涂层。该装置进一步包括第一及第二电极用于自光伏装置之前及背侧相应地收集电流。 |
