| 发明名称 | 半导体存储器件中的内部电压源发生器 | ||
| 摘要 | 在该电路中，响应于正常工作模式，供给或下变换外部电压源以向内部电路提供第一电平的内部电压源。响应于具有与正常模式有补充关系的低功耗模式，将外部电压源转换为低于第一电平的第二电平的电压。 | ||
| 申请公布号 | CN100440376C | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN03145337.6 | 申请日期 | 2003.07.04 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李祥载;沈载润;洪相杓;千基喆 |
| 分类号 | G11C11/4074(2006.01) | 主分类号 | G11C11/4074(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 邸万奎;黄小临 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器器件，包括：内部电压产生电路，用于在正常工作模式产生第一电压，并在电力下降工作模式产生第二电压，所述内部电压产生电路从源电压产生该第一电压和第二电压。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||