硫化物膜之形成方法及记录元件之制造方法

摘要

本发明之硫化物膜之形成方法，其系于形成于基板上之绝缘层之接触孔内形成硫化物膜之方法，且包含：准备与上述硫化物膜之组成相同之靶材之阶段；当将上述靶材之直径设为T(m)、将上述靶材与上述基板之间之距离设为L(m)时，将上述距离L与上述靶材之直径T之比L/T设为0.5以上且1.5以下之阶段；以及藉由对上述基板施加偏压电力且对上述靶材施加溅镀电力之溅镀步骤，而于上述接触孔内形成硫化物膜之阶段。