发明名称 多晶-单晶固相转化方法
摘要 本发明涉及一种多晶-单晶固相转化方法,属于单晶制备技术领域。本发明在陶瓷基体中复合添加少量添加剂,通过控制烧结工艺,在真空或氢气气氛中实现透明陶瓷从多晶向单晶转变。从而防止陶瓷材料中晶粒的异常长大,同时提高晶粒的整体均匀的生长速度,在相对较低温度的条件下,较快地制备得到单晶。
申请公布号 CN101307484A 申请公布日期 2008.11.19
申请号 CN200810033496.7 申请日期 2008.02.04
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 冯涛;施剑林;蒋丹宇
分类号 C30B1/00(2006.01) 主分类号 C30B1/00(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1、多晶-单晶固相转化方法,包括下述步骤:(1)以氧化铝、氧化钇、氧化镥、氧化钪、钇铝石榴石、锆酸盐或铪酸盐陶瓷作为陶瓷基体;(2)在上述陶瓷内添加MgO、Cr2O3、Ga2O3、ZrO2、HfO2或La2O3作为添加剂,添加剂的量在100~100000ppm;(3)对加入添加剂的陶瓷基体在空气中进行预烧结,烧结温度在900~1200℃;(4)在预烧结的样品表面添加添加剂,添加剂选择SiO2、CaO、MoO3、WO3或Y2O3,添加剂的量在100~100000ppm;(4)对加入添加剂的陶瓷基体在空气中进行预烧结,烧结温度在900~1200℃;(5)对经过预烧结的陶瓷基体进行真空或氢气、或氢-氮混合气或热等静压烧结,烧结温度为1500℃~2000℃,保温4~10小时,随炉冷却。
地址 200050上海市定西路1295号
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