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发明名称
发光二极体基板之制造方法
摘要
本发明之目的系提供一种发光二极体基板之制造方法,其系用以使发光二极体高亮度化,且无需利用接着剂之接着程序,同时可藉由高精度且低成本形成具有所期望之形状及尺寸之反射部者。为达成此目的,该制造方法系于业已形成电路之基板表面涂布导电性糊剂,且加热该导电性糊剂而使其硬化,并于配置发光二极体之位置上,藉由具有截头锥状之前端部之钻头将业已硬化之导电性糊剂穿孔,形成具有构成反射部之锥状侧壁面之空间。
申请公布号
TW200845432
申请公布日期
2008.11.16
申请号
TW097107645
申请日期
2008.03.05
申请人
大自达系统电子股份有限公司
发明人
岩井靖;村上久敏
分类号
H01L33/00(2006.01)
主分类号
H01L33/00(2006.01)
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
日本
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