| 发明名称 | 具氢阻障层的微电子结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一微电子结构，其提供已获得改善的对氢敏感介电层的保护，以抵抗氢的污染。根据本发明，该氢敏感介电层(14)至少被厚度至少为该氢敏感介电层五倍厚的一中间氧化层(18)所覆盖，而该中间氧化层(18)同时作用为一金属间介电层以及其表面为此目的而加以金属化，此具有足够厚度的中间氧化层(18)乃是因为会吸收于沉积一氢阻障层(22、26)期间可能会释放出的氢，而能保护该氢敏感介电层(14)。 | ||
| 申请公布号 | CN100429762C | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN02810796.9 | 申请日期 | 2002.04.22 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | W·哈特纳;Z·加布里;M·克罗恩科;G·欣德勒 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;李丙林 |
| 主权项 | 1.一具有一氢敏感介电层(14)的微电子结构，该氢敏感介电层(14)包含一含金属氧化物层，其中该含金属氧化物层为一铁电层或一顺电性层，其特征在于，在该氢敏感介电层(14)之上配置有至少一中间氧化层(18)，其至少为该氢敏感介电层(14)的五倍厚；该中间氧化层被一氢阻障层(22、26)所覆盖，该氢阻障层(22、26)系由一电绝缘材质所构成。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||