| 发明名称 | 一种用于铜互连的导电阻挡层材料及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于铜互连的导电阻挡层材料，由硅衬底、导电阻挡层组成，其特征在于：导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在硅衬底基体上生长非晶态Ti－Al二元合金薄膜，然后在Ti－Al二元合金薄膜上原位生长Cu薄膜制成。本发明利用Ti－Al材料同Si和Cu具有良好的热力学稳定性；非晶的Ti－Al薄膜不存在扩散通道，可以有效避免Cu生长过程中向硅衬底的扩散；Ti－Al薄膜具有成本低、热力学稳定性好、同Si衬底粘附性好、导电性良好、熔点高等特点。研究发现应用磁控溅射法制备的非晶态的Ti－Al薄膜可以避免Cu和Si在高温退火时发生反应，起到用于铜互连的阻挡层的功能。本发明易于控制、设备要求低、可以与半导体工艺兼容，广泛应用于微电子领域。 | ||
| 申请公布号 | CN101286496A | 申请公布日期 | 2008.10.15 |
| 申请号 | CN200810054756.9 | 申请日期 | 2008.04.10 |
| 申请人 | 河北大学 | 发明人 | 刘保亭;马良;邢金柱;霍骥川;边芳;赵庆勋;郭庆林;王英龙 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01);H01L21/768(2006.01);C23C14/00(2006.01);C23C14/56(2006.01);C23C14/35(2006.01);C23C14/54(2006.01);C23C14/02(2006.01);C23C14/58(2006.01) | 主分类号 | H01L23/532(2006.01) |
| 代理机构 | 石家庄汇科专利商标事务所 | 代理人 | 王琪 |
| 主权项 | 1、一种用于铜互连的导电阻挡层材料，由硅衬底、导电阻挡层组成，其特征在于：导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在硅衬底基体上生长非晶态Ti-Al二元合金薄膜，然后在Ti-Al二元合金薄膜原位生长Cu薄膜料制成。 | ||
| 地址 | 071002河北省保定市五四东路180号 | ||