| 发明名称 |
FABRICATION OF InP CONTAINING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING HIGH AND LOW RESISTIVITY REGIONS |
| 摘要 |
On utilise la propriété des matériaux dans le système InP selon laquelle, soumis à un bombardement de deutérons ou d'ions d'hélium, un matériau du type p devient très résistif mais un matériau du type n reste relativement conducteur pour fabriquer des circuits intégrés comportant des barres de bus ou des interconnexions de semi-conducteurs enterrées (14) entre les dispositifs (D1-D2). |
| 申请公布号 |
WO8502493(A1) |
申请公布日期 |
1985.06.06 |
| 申请号 |
WO1984US01676 |
申请日期 |
1984.10.18 |
| 申请人 |
AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY |
发明人 |
CAPASSO, FEDERICO;FOCHT, MARLIN, WILBERT;MACRANDER, ALBERT, TIEMEN;SCHWARTZ, BERTRAM |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/266;H01L21/324;H01L21/74;H01L21/76;H01L21/762;H01L21/822;H01L21/8252;H01L27/04;H01L27/15;(IPC1-7):H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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